Samsung представила фотосенсор с разрешением 144 Мп на основе 14-нм FinFET техпроцесса

На конференции IEDM 2019, компанией Samsung была представлена технология позволяющая производить датчики изображения с разрешением 144 Мп на основе 14-нм FinFET техпроцесса.

Основная проблема заключается в том, что фотосенсоры должны работать при относительно высоком напряжении (2 В и выше), а все разработчики чипсетов стремятся к максимальному снижению напряжения (для снижения энергопотребления и нагрева).

Разработчики компании заявляют, что технология 14 нм FinFET позволит на 42% снизить энергопотребление, при использовании датчика с разрешением 144 Мп и скорости захвата 10 кадров/с. Для разрешения 12 Мп при 30-120 к/с (например запись видео) снижение энергопотребления может достигнуть 37%.