Kryo

Kryo — серия кастомных ARM-процессоров компании Qualcomm. В процессорах применён 64-битный набор команд архитектуры ARMv8-A. Они являются преемниками более старых 32-битных ядер Krait.

Содержание

  1. Kryo
  2. Kryo 280
  3. Kryo 260
  4. Kryo 250
  5. Kryo 360
  6. Kryo 385
  7. Kryo 460
  8. Kryo 485

Kryo

Впервые архитектура была анонсирована в сентябре 2015 года и использована в чипе Snapdragon 820, который произведён по 14-нм FinFET процессу Samsung. Ядра Kryo могут применяться в обоих частях архитектуры big.LITTLE, где два двухъядерных кластера (в случае Snapdragon 820 и 821) работают с применением разной частоты.

Kryo 280

Новое поколение микроархитектуры, под названием Kryo 280, было анонсировано вместе с чипсетом Snapdragon 835 в ноябре 2016 года. Процессорное ядро Kryo 280 скорее является кастомным развитием ядра ARM Cortex-A73, чем первоначальной модели Kryo. Новое ядро улучшило скорость выполнения целочисленных команд, но получило гораздо меньшую производительность операций с плавающей запятой, по сравнению с первым Kryo.

Kryo 260

Архитектура Kryo 260 была представлена в мае 2017 года, вместе с чипсетом для смартфонов среднего класса Snapdragon 660. Данный процессор является комбинацией четырёх полукастомных ядер Cortex-A73 (высокопроизводительный кластер) и четырёх полукастомных ядер Cortex-A53 (энергоэффективный кластер), объединённых архитектурой big.LITTLE. Kryo 260 имеет общий кэш L2 размером 1 МБ/1 МБ на кластер. Использован 14-нм техпроцесс.

Kryo 250

Архитектура Kryo 250 была представлена в чипсете Snapdragon 632, анонс которого состоялся в июне 2018 года. Здесь также использован 14-нм техпроцесс, как и у Kryo 260, но немного изменён размер кэша L2. Qualcomm заявляет, что производительность увеличена на 40%, по сравнению с чипом Snapdragon 625, в котором использовались обычные ядра Cortex-A53.

Kryo 360

Ядра Kryo 360 были впервые представлены в новых моделях Snapdragon серий 400, 600 и 700, заменив более старые версии ядер. В них присутствует поддержка технологии ARM DynamIQ, которая позволяет более гибко компоновать различные ядра в кластерах чипсета.

Silver: данная версия ядер Kryo 360 основана на Cortex A55 и обладает более низкой частотой, чем в ядрах A53, использованных в других чипах Snapdragon. Qualcomm не сообщает об архитектурных изменениях ядра ARM, но известно, что в некоторых чипсетах, размер кэша L2 равен 64 Кбайт, а общий кэш L3 имеет объём 1 Мбайт.

Gold: данная версия ядер Kryo 360 основана на Cortex A75. Qualcomm не сообщает об архитектурных изменениях изначального дизайна, но известные размеры кэша следующие: 128 Кбайт для кэша L2 и 1 Мбайт для общего кэша L3, которые присутствуют в некоторых чипсетах, таких как Snapdragon 660 и Snapdragon 636.

Kryo 385

Архитектура Kryo 385 была анонсирована как часть чипсета Snapdragon 845 в декабре 2017 года. Чип построен по 10-нм техпроцессу, содержит восемь полукастомных ядер, которые при помощи технологии DynamIQ распределены на 4 высокопроизводительных ядра версии Gold и на 4 энергоэффективных ядра версии Silver. Ядра Gold основаны на Cortex-A75, имеют частоту до 2,8 ГГц и суммарный кэш L2 размером 1 МБ. Ядра Silver основаны на Cortex-A55, имеют частоту до 1,8 ГГц и суммарный кэш L2 размером 512 КБ. Также в чипе присутствует кэш L3 объёмом 2 МБ. По заявлению Qualcomm, по сравнению с чипом Snapdragon 835, новый чип получит прирост производительности на 25-30% при использовании высокопроизводительных ядер, и увеличение энергоэффективности на 15% при использовании соответствующих ядер.

Kryo 460

Архитектура Kryo 460 была представлена в октябре 2018 года, вместе с однокристальной системой Snapdragon 675. В представленном чипсете использовано два высокопроизводительных ядра на основе Cortex-A76 с частотой 2,0 ГГц (кэш L2 равен 256 Кбайт), а также шесть энергоэффективных ядер на основе Cortex-A55 с частотой 1,8 ГГц (кэш L2 равен 64 Кбайт). Ядра поддерживают технологию ARM DynamIQ.

Kryo 485

Ядра Kryo 485 были анонсированы 5 декабря 2018 года, в качестве части мобильной платформы Snapdragon 855. При производстве использован 7-нм техпроцесс FinFET от TSMC.