Qualcomm представляет технологию Quick Charge 3.0

Технология подзарядки Quick Charge 2.0 уже успела хорошо зарекомендовать себя, заряжая смартфоны с нуля до 60% за полчаса. Компания Qualcomm на этом не останавливается и анонсирует новый вариант технологии — Quick Charge 3.0. Она должна войти в состав следующего поколения её мобильных процессоров Snapdragon, ещё быстрее заряжая устройства на них.

Проведём сравнение. Quick Charge 1.0 была на 40% быстрее стандартной зарядки, Quick Charge 2.0 уже на 75% быстрее стандартной зарядки. Новая Quick Charge 3.0 вдвое быстрее по сравнению с Quick Charge 1.0 и на 38% опережает Quick Charge 2.0. С нуля до 80% аккумулятор среднестатистического смартфона заряжается за 35 минут.

Впервые Qualcomm использует технологию INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage — интеллектуальная настройка оптимального напряжения) в процессе быстрой зарядки. Новый алгоритм помогает устройствам определять, какое им требуется напряжение, поддерживая широкий спектр вариантов. Quick Charge 2.0 поддерживает только 5 В, 9 В, 10 В и 20 В. Quick Charge 3.0 обладает шагом в 200 мВ между 3,6 В и 20 В, а также совместима с разъёмами USB типа С.

Чипы с Quick Charge 3.0

Новый стандарт зарядки появится в процессорах Snapdragon 820, 620, 618 и 430, то есть не раньше будущего года. В результате зарядка будет происходить меньше чем за час, а разработчикам пора придумать, как добиться необходимости реже заряжать устройства.