Samsung анонсировала начало массового производства мобильной оперативной памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ. Компания заявляет, что такие объёмы могут пригодиться смартфонам, которые будут поддерживать более пяти камер, большие размеры экрана, расширенную функциональность искусственного интеллекта или связь 5G.
Также компания признаёт, что обратной стороной увеличения объёма памяти, является увеличение энергопотребления. Но Samsung заявляет, что её энергоэффективные чипы минимизируют прирост дополнительного энергопотребления, и при этом предлагают скорость передачи данных до 4266 Мбит/с.
Среди смартфонов, имеющих объём ОЗУ 12 ГБ, выпускался Lenovo Z5 Pro GT, обладающий процессором Snapdragon 855.
История выпуска мобильной памяти компанией Samsung:
| Дата | Объём | Чип |
| Февраль 2019 | 12 ГБ | 1y-нм LPDDR4X 16 Гбит, 4266 Мбит/с |
| Июль 2018 | 8 ГБ | 1y-нм LPDDR4X 16 Гбит, 4266 Мбит/с |
| Апрель 2018 | 8 ГБ (разраб.) | 1x-нм LPDDR5 8 Гбит, 6400 Мбит/с |
| Сентябрь 2016 | 8 ГБ | 1x-нм LPDDR4X 16 Гбит, 4266 Мбит/с |
| Август 2015 | 6 ГБ | 20-нм (2z) LPDDR4 12 Гбит, 4266 Мбит/с |
| Декабрь 2014 | 4 ГБ | 20-нм (2z) LPDDR4 8 Гбит, 3200 Мбит/с |
| Сентябрь 2014 | 3 ГБ | 20-нм (2z) LPDDR3 6 Гбит, 2133 Мбит/с |
| Ноябрь 2013 | 3 ГБ | 2y-нм LPDDR3 6 Гбит, 2133 Мбит/с |
| Июль 2013 | 3 ГБ | 2y-нм LPDDR3 4 Гбит, 2133 Мбит/с |
| Апрель 2013 | 2 ГБ | 2y-нм LPDDR3 4 Гбит, 2133 Мбит/с |
| Август 2012 | 2 ГБ | 30-нм LPDDR3 4 Гбит, 1600 Мбит/с |
| 2011 | 1/2 ГБ | 30-нм LPDDR2 4 Гбит, 1066 Мбит/с |
| 2010 | 512 МБ | 40-нм MDDR 2 Гбит, 400 Мбит/с |
| 2009 | 256 МБ | 50-нм MDDR 1 Гбит, 400 Мбит/с |