Компания Samsung на этой неделе анонсировала начало массового производства памяти типа HBM2 (Second Generation High Bandwidth Memory Interface) DRAM. Это технология памяти, в которой компания обещает скорость «в 7 раз выше текущего предела DRAM».
Сейчас компания производит чипы объёмом 4 ГБ на основе 20 нм технологического процесса, они могут обеспечить пропускную способность 256 ГБ/с (что вдвое больше возможностей памяти HBM1 из видеокарт AMD R9 Nano или R9 Fury X) в небольшом форм-факторе. Достигается это за счёт размещения четырёх слоёв объёмом 8 Гбит, связанных при помощи плотного массива соединений TSV.
Если это звучит слишком сложным, можно представить, что 4 ГБ памяти HBM2 теоретически даёт в 7 раз большую пропускную способность по сравнению с 4-гигабитной GDDR5 из видеокарт Nvidia GTX 970 и GTX 980.
Память Samsung HBM2 DRAM очень быстрая и компактная, она позволит Nvidia и AMD включить больше видеопамяти в будущие видеокарты для мониторов формата 4K, но она также предложит большую надёжность благодаря коду коррекции ошибок ECC. Это делает её удобной для использования в высокопроизводительных вычислениях, параллельной обработке данных и машинном обучении.
Samsung постепенно увеличивает объём производства и позже в этом году собирается представить HBM2 объёмом 8 ГБ. Что касается времени появления этой памяти в реальных продуктах, Nvidia и AMD работают над интеграцией технологии в свои архитектуры Pascal и Polaris (как минимум для дорогостоящего сегмента видеокарт).
HBM2 DRAM также могут повлиять на будущие системы на чипе и APU для следующего поколения игровых приставок. Нынешние Xbox One и PS4 иногда испытывают проблемы с производительностью в играх вроде Fallout 4.